来源：环球网
【环球网科技综合报道】10月11日消息，据韩国媒体最新报道，日前三星电子高管在三星代工论坛上透露，三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率，并计划于明年6月份开始量产，代工相关的芯片。
据了解，为了在半导体制程工艺上追赶上台积电，三星在3nm工艺的研发当中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术。三星方面表示，采用这一工艺代工的芯片，性能较5nm将提升50%，能耗降低50%。
外媒指出，三星电子方面对3nm工艺寄予厚望，多年前就已开始研发事宜。在今年6月底，有外媒在报道中表示，三星电子的3nm工艺已成功流片，并计划于2021年下半年领先台积电量产3nm。不过在随后的在“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星表示转移到全新的GAA技术难度很高，3nm制程将推迟到2022年上半年量产。
而目前在推进3nm工艺的另一家厂商，是当前全球最大的芯片代工商台积电，在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进，计划今年下半年风险试产，明年大规模量产。
